SPN6561S26RG,SPN6561S26RG pdf中文资料,SPN6561S26RG引脚图,SPN6561S26RG电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SPN6561S26RG

SPN6561S26RG: 产品描述dual N-channel enhancement mode mosfet; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小199KB，共8页; 制造商擎力科技(SYNC POWER); 官网地址http://www.syncpower.com/; 擎力科技股份有限公司为专业类比IC设计公司，于2004/02/01正式成立，同时进驻台北市南港软体园区( NKSP )，擎力科技产品主要应用于电源管理系统。

擎力科技股份有限公司结合美国及台湾高科技IC设计人才，精心于电源管理IC的设计与开发，并同步开发设计场效功率元件 Trench POWER MOSFET 及 TVS ESD 静电防护元件，提供客户更具竞争力的电源管理系统零组件，并有效保护电子产品的使用安全性。

擎力科技股份有限公司拥有多项同步整流电源管理IC美国专利，依此专利技术不断衍生发展，设计更具前瞻性与高效能的电源管理IC，与世界级电源管理设计公司同步前进。

擎力科技采用高密度 Trench POWER MOSFET 制程设计产品，并采用业界最先进封装及最精细封装型式，特别适用于手持式电子产品系统。

擎力科技 TVS ESD 静电防护元件为最先进封装型式，且于多家国际性系统厂商所採用，精微的封装型式特别适用于电子通讯产品，有效且精密的保护系统使用安全。

擎力科技股份有限公司依同步成长方式提供更紧密的客户服务，于产业技术与市场竞争方面，让客户与擎力科技达成共享双赢的新局。

擎力科技股份有限公司依循环保法规禁用物质规定，发展无污染原物料之绿色产品，于国际知名认证机构 SGS 检验核订，完全符合ROHS世界环保规范。

擎力科技股份有限公司于 2005/09 通过 AFQA ( ISO 9001: 2008 ) 认证。

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SPN6561S26RG概述

dual N-channel enhancement mode mosfet

SPN6561S26RG规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	擎力科技(SYNC POWER)
包装说明	,
Reach Compliance Code	compliant

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